支部胡伟团队在二维铁电Rashba材料领域取得进展，研究成果以题为“High-Throughput Inverse Design for 2D Ferroelectric Rashba Semiconductors”发表在Journal of the American Chemical Society上。

自旋电子研究的一个重要领域是使用晶体管中的电子自旋来传输和处理信息。迄今为止，在自旋逻辑、磁控自旋电子学和半导体自旋电子学领域，科学家们已经做出了许多努力来操纵编码在自旋中的信息。在Datta和Das提出的自旋场效应晶体管的开创性想法30多年后，许多实际限制仍然阻碍了晶体管的实施。由于磁性半导体需要低温操作和外部磁场来控制自旋分布，希望找到非磁性半导体来操纵自旋电子器件中的自旋，而无需磁场和铁磁材料的帮助。在这种情况下，一类新型的铁电Rashba半导体值得进一步探索，因为可以通过非易失性电控制的铁电极化反转来逆转它们的自旋分布。

论文链接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/jacs.2c08827